A New Method for Extracting Interface Trap Density in Short-Channel MOSFETs from Substrate-Bias-Dependent Subthreshold Slopes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ETRI journal 1993-10, Vol.15 (2), p.10-25
1. Verfasser:	Jong-Son Lyu
Format:	Artikel
Sprache:	kor
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:	1225-6463