Comparison of a bottom-up and a top-down approach for the creation of contact openings in a multi-stack oxide layer at the front interface of Cu(In, Ga)Se2
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Veröffentlicht in: | SOLAR ENERGY 2022-05, Vol.237, p.161-172 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0038-092X |