Deep electron traps in HfO2-based ferroelectrics: (Al/Si-doped) HfO2 versus HfZrO4

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	SOLID-STATE ELECTRONICS 2022-08, Vol.194
Hauptverfasser:	Izmailov, R.A, O'Sullivan, B.J, Popovici, M.I, Afanas'ev, V.V
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:	0038-1101