Impact of the Nonlinear Dielectric Hysteresis Properties of a Charge Trap Layer in a Novel Hybrid High-Speed and Low-Power Ferroelectric or Antiferroelectric HSO/HZO Boosted Charge Trap Memory

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 2021-04, Vol.68 (4), p.2098-2106
Hauptverfasser:	Ali, Tarek, Mertens, Konstantin, Olivo, Ricardo, Rudolph, Matthias, Oehler, Sebastian, Kuhnel, Kati, Lehninger, David, Muller, Franz, Hoffmann, Raik, Schramm, Philipp, Biedermann, Kati, Metzger, Joachim, Binder, Robert, Czernohorsky, Malte, Kampfe, Thomas, Muller, Johannes, Seidel, Konrad, Van Houdt, Jan, Eng, Lukas M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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