Program/Erase Scheme for Suppressing Interface Trap Generation in HfO2-Based Ferroelectric Field Effect Transistor

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 2021-09, Vol.42 (9), p.1280-1283
Hauptverfasser:	Min, Jinhong, Ronchi, Nicolo, McMitchell, Sean R.C, O'Sullivan, Barry, Banerjee, Kaustuv, Van den Bosch, Geert, Van Houdt, Jan, Shin, Changhwan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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