Reliability of p-GaN Gate HEMTs in Reverse Conduction

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 2021-02, Vol.68 (2), p.645-652
Hauptverfasser:	Cingu, Deepthi, Li, Xiangdong, Bakeroot, Benoit, Amirifar, Nooshin, Geens, Karen, Jacobs, Kristof J.P, Zhao, Ming, You, Shuzhen, Groeseneken, Guido, Decoutere, Stefaan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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