Extensive assessment of the charge-trapping kinetics in InGaAs MOS gate-stacks for the demonstration of improved BTI reliability

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	MICROELECTRONICS RELIABILITY 2020-12, Vol.115
Hauptverfasser:	Putcha, Vamsi, Franco, Jacopo, Vais, Abhitosh, Kaczer, Ben, Xie, Qi, Maes, Jan Willem, Tang, Fu, Givens, Michael, Collaert, Nadine, Linten, Dimitri, Groeseneken, Guido
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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