Modeling of Repeated FET Hot-Carrier Stress and Anneal Cycles Using Si-H Bond Dissociation/Passivation Energy Distributions

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 2021-04, Vol.68 (4), p.1454-1460
Hauptverfasser:	Vandemaele, Michiel, Franco, Jacopo, Tyaginov, Stanislav, Groeseneken, Guido, Kaczer, Ben
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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