Electrical Activity of Extended Defects in Relaxed InxGa1-xAs Hetero-Epitaxial Layers

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 2020-02, Vol.9 (3)
Hauptverfasser:	Claeys, C, Hsu, P.-C, Mols, Y, Han, H, Bender, H, Seidel, F, Carolan, P, Merckling, C, Alian, A, Waldron, N, Eneman, G, Collaert, N, Heyns, M, Simoen, E
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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