Strain relaxation, extended defects and doping effects in InxGa1-xN/GaN heterostructures investigated by surface photovoltage

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	APPLIED SURFACE SCIENCE 2020-06, Vol.515
Hauptverfasser:	Cavalcoli, D, Minj, A, Fazio, M.A, Cros, A, Heuken, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:	0169-4332