Carrier and heat transport properties of polycrystalline GeSn films on SiO2

Carrier and heat transport properties of polycrystalline GeSn films on SiO2

We evaluated the potential of polycrystalline (poly-) GeSn as channel material for the fabrication of thin film transistors (TFTs) at a low thermal budget (

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied Physics Letters 2015, Vol.107 (23)
Hauptverfasser: Uchida, Noriyuki, Maeda, Tatsuro, Lieten, Ruben R, Okajima, Shingo, Ohishi, Yuji, Takase, Ryohei, Ishimaru, Manabu, Locquet, Jean-Pierre
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:We evaluated the potential of polycrystalline (poly-) GeSn as channel material for the fabrication of thin film transistors (TFTs) at a low thermal budget (
ISSN:0003-6951