Al 양극산화피막에서 Mn전착에 관한 임피던스 연구

The Al oxide layer formed in 1M $H_2SO_4$ solution and the influence of applied frequency for electrodeposition of Mn on Al oxide layer were characterized using by impedance spectroscopy. Mn compounds were electrodeposited at the base of pores during deposition with applied low frequency voltage. For the Mn deposited oxide layer at 6OHz and 5Hz in 1 g/L $KMnO_4$ solution, in equivalent circuit for interpretation, the resistance ($R_2$) and capacitance ($C_2$) were considered to be due to deposition of Mn on base of pore. The electrochemical behavior of barrier layer and porous oxide layer on Al have been characterized by capacitance ($C_b$) and Young capacitance ($C_Y$) in equivalent circuit model. 황산용액에서 제조된 Al양극 산화피막 내부로 여러 주파수의 교류전압을 통하여 1 g/L $KMnO_4$ 용액내에서 Mn금속을 전착시켰다. 이때 Al 산화피막 내부로 전착되는 Mn금속의 변화와 산화피막의 특성변화를 임피던스를 통하여 조사했다. 낮은 교류전압의 주파소로 Mn전착된 피막의 임피던스 스펙트럼은 황산에서 제조된 산화피막의 임피던스 스펙트럼과 차이를 나타냈으며, 특히 등가회로에서는 Mn전착의 영향을 나타내는 파라미터인 저항과 축전용량이 추가로 첨가되었다. 또한 Mn전착은 기공성의 산화피막 내부로 진행되는 것으로 나타났다. 또한 기공성의 산화피막의 경우는 저주파를 부하하여 Mn전착시킬 경우 비전도성의 피막성장에 의해 전하이동저항이 높게 나타났다. 이러한 Al산화피막의 특성은 전도도의 구배를 나타내는 파라미터인 Young 임피던스를 통하여 관찰되었다.