A simplified high-speed bipolar process with Ti salicide metallization: implementation of in situ p-doped polysilicon emitter

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica scripta 1999-01, Vol.1999 (1), p.318
Hauptverfasser:	Kaplan, W, Pejnefors, J, Linder, M, Sandén, M, Karlin, T E, Malm, G, Zhang, S-L, Grahn, J V, Östling, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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