Metal-organic vapor phase epitaxy of (GaAl)As for 0.85-μm laser diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Soviet journal of quantum electronics 1988-11, Vol.18 (11), p.1412-1415
Hauptverfasser: Jacobs, K, Bugge, F, Butzke, G, Lehmann, L, Schimko, R
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0049-1748
2169-530X
DOI:10.1070/QE1988v018n11ABEH012629