Crystal phase transition to green emission wurtzite AlInP by crystal structure transfer

We grew AlInP on two types of GaN substrate in order to transfer the wurtzite (WZ) structure to grown layers. An AlInP epitaxial layer grown on GaN with high-density stacking faults was obtained. X-ray diffraction and Raman scattering analyses indicate that the dominant crystal structure of the AlIn...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics express 2016-03, Vol.9 (3), p.35502
Hauptverfasser:	Hiraya, Yoshihiro, Ishizaka, Fumiya, Tomioka, Katsuhiro, Fukui, Takashi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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