Modelling of impedance dispersion in lateral β-Ga2O3 MOSFETs due to parallel conductive Si-accumulation layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2023-04, Vol.16 (4)
Hauptverfasser:	Chen, Zequan, Mishra, Abhishek, Bhat, Aditya K., Smith, Matthew D., Uren, Michael J., Kumar, Sandeep, Higashiwaki, Masataka, Kuball, Martin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	capacitance–voltage frequency dispersion Ga2O3 leakage current MOSFETs
Online-Zugang:	Volltext
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