Massive reduction of threading screw dislocations in 4H-SiC crystals grown by a hybrid method combined with solution growth and physical vapor transport growth on higher off-angle substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2021-08, Vol.14 (8), p.85506
Hauptverfasser:	Mitani, Takeshi, Eto, Kazuma, Momose, Kenji, Kato, Tomohisa
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	defect conversion macrostep physical vapor transport growth SiC solution growth threading screw dislocations
Online-Zugang:	Volltext
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