Low Temperature Epitaxy of In Situ GaDoped Si1-XGex: Dopant Incorporation, Structural and Electrical Properties

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2022-10, Vol.MA2022-02 (32), p.1216-1216
Hauptverfasser:	Rengo, Gianluca, Porret, Clement, Hikavyy, Andriy Yakovitch, Coenen, Gitte, Ayyad, Mustafa, Morris, Richard J. H., Pollastri, Simone, De Souza, Danilo Oliveira, Grandjean, Didier, Loo, Roger, Vantomme, Andre
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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