Communication—A Powerful Method to Improve Dielectric/GaN Interface Properties: A Dummy SiO2 Process

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2024-08, Vol.13 (8)
Hauptverfasser:	Irokawa, Yoshihiro, Nabatame, Toshihide, Sawada, Tomomi, Miyamoto, Manami, Miura, Hiromi, Tsukagoshi, Kazuhito, Koide, Yasuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	electron devices - III-V gallium nitride GaN interface modification
Online-Zugang:	Volltext
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