Self-Induced Ge-Doped HfO2 Applied to Ge Stacked Nanowires Ferroelectric Gate-All-Around Field-Effect Transistor with Steep Subthreshold Slope Under O3 Treatment with GeO2 as Interfacial Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2024-05, Vol.13 (5)
Hauptverfasser:	Lin, Yi-Wen, Huang, Yu-Hsien, Lin, Shan-Wen, Luo, Guang-Li, Lin, Yu-Hsien, Wu, Yung-Chun, Hou, Fu-Ju
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	ferroelectric Ge-doped HfO interfacial layer nanowire
Online-Zugang:	Volltext
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