Breakdown up to 13.5 kV in NiO/β-Ga2O3 Vertical Heterojunction Rectifiers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2024-03, Vol.13 (3)
Hauptverfasser:	Li, Jian-Sian, Wan, Hsiao-Hsuan, Chiang, Chao-Ching, Yoo, Timothy Jinsoo, Yu, Meng-Hsun, Ren, Fan, Kim, Honggyu, Liao, Yu-Te, Pearton, Stephen J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	electron devices gallium oxide microelectronics semiconductors
Online-Zugang:	Volltext
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