Optimization and Mechanism of SiO2-Based Slurry Components for Atomically Smooth Gallium Nitride Surface Obtained Using Chemical Mechanical Polishing Technique

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2024-01, Vol.13 (1)
Hauptverfasser:	Xian, Wenhao, Zhang, Baoguo, Liu, Min, Wu, Pengfei, Wang, Ye, Liu, Shitong, Cui, Dexing
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	chemical mechanical polishing defect area gallium nitride surface roughness
Online-Zugang:	Volltext
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