HfO2-based Ferroelectric Field-Effect-Transistor with Large Memory Window and Good Synaptic Behavior

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2021-06, Vol.10 (6)
Hauptverfasser:	Huang, Weixing, Zhu, Huilong, Zhang, Yongkui, Xiang, Jinjuan, Li, Junjie, Yang, Hong, Jia, Kunpeng, Wu, Zhenhua
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!