Using Ellipsoidal Layout Style to Boost the Electrical Performance of the MOSFETs Regarding the 180 nm CMOS ICs Manufacturing Process

This paper aims to experimentally study the influence of the ellipsoidal layout style in MOSFETs in comparison to the standard MOSFETs (rectangular gate shape) regarding the 180 nm CMOS ICs Manufacturing Process from TSMC. The obtained results show that the electrical performance of the main electri...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS transactions 2018-04, Vol.85 (8), p.97-102
Hauptverfasser:	Cruz, William Souza, Swart, Jacobus Willibrordus, Gimenez, Salvador Pinillos
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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