Design and evaluation of β-Ga2O3 junction barrier schottky diode with p-GaN heterojunction

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica scripta 2024-09, Vol.99 (9)
Hauptverfasser:	Than, Phuc Hong, Than, Tho Quang, Takaki, Yasushi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	gallium nitride gallium oxide high breakdown voltage junction barrier Schottky superior performance
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!