Design and evaluation of β-Ga2O3 junction barrier schottky diode with p-GaN heterojunction

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica scripta 2024-09, Vol.99 (9)
Hauptverfasser:	Than, Phuc Hong, Than, Tho Quang, Takaki, Yasushi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	gallium nitride gallium oxide high breakdown voltage junction barrier Schottky superior performance
Online-Zugang:	Volltext
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