Bias voltage effect on impedance, modulus and dielectric spectroscopies of HfO2-interlayered Si-based Schottky diodes at room temperature

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica scripta 2021-11, Vol.96 (11)
Hauptverfasser:	Çağırtekin, Ali Orkun, Ajjaq, Ahmad, Barin, Özlem, Acar, Selim
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	ALD dielectric HfO impedance interlayer schottky diode
Online-Zugang:	Volltext
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