Simulation and modeling of a new CsSnI3 solar cell structure: a numerical study

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2024-12, Vol.39 (12)
Hauptverfasser:	Adjouz, Razika, Allam, Zehor, Souli, Lahcene, Hafaifa, Loumafak, Zebeir, Achouak
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Capacitance and Mott-Schottky CsSnI defect density Perovskite solar cells SCAPS-1D series and shunt resistances
Online-Zugang:	Volltext
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