Realization of an ultra-scaled novel Ga2O3 FinFET for sub-terahertz applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2024-06, Vol.39 (6)
Hauptverfasser:	Goyal, Priyanshi, Kaur, Harsupreet
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	channel doping engineering FinFET gallium oxide gate electrode engineering simulations terahertz frequencies wide bandgap semiconductors
Online-Zugang:	Volltext
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