Characterization of PECVD Si3N4 thin film in multiple oxide–nitride stack for 3D-NAND flash memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2023-12, Vol.38 (12)
Hauptverfasser:	Baek, Jaekeun, An, Surin, Park, Ahhyun, Kim, Ki-Yeon, Hong, Sang Jeen
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	3D-NAND deposition pressure hydrogen content ON stack silicon nitride
Online-Zugang:	Volltext
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