Measurement and gate-voltage dependence of channel and series resistances in lateral depletion-mode β-Ga2O3 MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2023-07, Vol.38 (7)
Hauptverfasser:	Maimon, O, Moser, N A, Liddy, K J, Green, A J, Chabak, K D, Cheung, K P, Pookpanratana, S, Li, Q
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	gallium oxide MOSFETs transfer length method
Online-Zugang:	Volltext
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