Universal conductance fluctuations in a Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2 topological insulator nano-scaled Hall bar structure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2023-03, Vol.38 (3)
Hauptverfasser:	Zimmermann, Erik, Kölzer, Jonas, Schleenvoigt, Michael, Rosenbach, Daniel, Mussler, Gregor, Schüffelgen, Peter, Heider, Tristan, Plucinski, Lukasz, Schubert, Jürgen, Lüth, Hans, Grützmacher, Detlev, Schäpers, Thomas
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	quaternary surface states topological insulator universal conductance fluctuations
Online-Zugang:	Volltext
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