Emission and capture characteristics of electron trap (E emi = 0.8 eV) in Si-doped β-Ga2O3 epilayer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2023-01, Vol.38 (1)
Hauptverfasser:	Qu, Haolan, Chen, Jiaxiang, Zhang, Yu, Sui, Jin, Gu, Yitian, Deng, Yuxin, Su, Danni, Zhang, Ruohan, Lu, Xing, Zou, Xinbo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	capture deep level transient spectroscopy emission epilayer Ga trap
Online-Zugang:	Volltext
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