Leakage mechanism in Al x Ga1−x N/GaN heterostructures with AlN interlayer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2022-01, Vol.37 (2)
Hauptverfasser:	Köhler, Klaus, Pletschen, Wilfried, Kirste, Lutz, Leone, Stefano, Müller, Stefan, Aidam, Rolf, Bronner, Wolfgang, Brückner, Peter, Waltereit, Patrick, Polyakov, Vladimir, Ambacher, Oliver
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	condensed matter dielectric constant electrical properties III–V semiconductor heterojunctions metal-organic vapor-phase epitaxy
Online-Zugang:	Volltext
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