Interfacial layer formation during the growth of Gd2O3 on Si(001) and its thermal stability

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2021-11, Vol.36 (11)
Hauptverfasser:	Gribisch, Philipp, Fissel, Andreas
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	interfacial layer molecular beam epitaxy rare earth oxides thermal stability
Online-Zugang:	Volltext
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