Enhancing gate turn-off thyristor blocking characteristics by low temperature defect passivation technology

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Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2021-08, Vol.36 (8), p.85005
Hauptverfasser:	Wu, Pei-Yu, Chen, Min-Chen, Chang, Ting-Chang, Zheng, Hao-Xuan, Jin, Fu-Yuan, Tan, Yung-Fang, Tu, Yu-Fa, Tsai, Xin-Ying, Huang, Jen-Wei, Chang, Kuo-Jen, Liu, Guan-Shian, Tsai, Tsung-Ming
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	gate turn-off thyristor (GTO thyristor) hydridation silicon controlled rectifier (SCR) supercritical fluid
Online-Zugang:	Volltext
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