Interface control and electron transport in ALD ZnO/Al2O3 TFTs studied by gated Hall effect

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2021-07, Vol.36 (7)
Hauptverfasser:	Anders, J, Leedy, K, Kazimierczuk, M, Schuette, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	gated Hall metal oxide semiconductors thin film transistors
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!