Improving the ferroelectric properties of Lu doped Hf0.5Zr0.5O2 thin films by capping a CeO x layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2024-09, Vol.35 (38)
Hauptverfasser:	Xiao, Yongguang, Yang, Lisha, Jiang, Yong, Liu, Siwei, Li, Gang, Ouyang, Jun, Tang, Minghua
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	CSD ferroelectricity HZO wake-up free
Online-Zugang:	Volltext
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