Post-annealing effect of low temperature atomic layer deposited Al2O3 on the top gate IGZO TFT

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2024-04, Vol.35 (15)
Hauptverfasser:	Zheng, Shuaiying, Lv, Shaocong, Wang, Chengyuan, Li, Zhijun, Dong, Liwei, Xin, Qian, Song, Aimin, Zhang, Jiawei, Li, Yuxiang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	IGZO TFT MOS capacitors post-annealing top gate
Online-Zugang:	Volltext
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