Ultrashort channel MoSe2 transistors with selenium atoms replaced at the interface: first-principles quantum-transport study

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2024-04, Vol.35 (17)
Hauptverfasser:	Chung, Chih-Hung, Chen, Ting-Yu, Lin, Chiung-Yuan, Chien, Huang-Wei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	contact resistance molecular dynamics MoSe quantum transport selenium replacement
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!