Effect of ferroelectric and interface films on the tunneling electroresistance of the Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2 based ferroelectric tunnel junctions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2021-11, Vol.32 (48)
Hauptverfasser:	Shekhawat, Aniruddh, Hsain, H Alex, Lee, Younghwan, Jones, Jacob L, Moghaddam, Saeed
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	atomic layer deposition ferroelectrics hafnium oxide interface engineering tunnel junctions
Online-Zugang:	Volltext
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