The study of interface quality in HfO2/Si films probed by second harmonic generation

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Veröffentlicht in:	Journal of physics. D, Applied physics Applied physics, 2024-10, Vol.57 (41)
Hauptverfasser:	Ye, Li, Zhang, Libo, Wang, Shaotong, Zhao, Weiwei, Huang, Chongji, Gao, Wenshuai, Liu, Xue, Li, Tiaoyang, Li, Tao, Min, Tai, Tian, Mingliang, Chen, Xuegang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	dopant type/density high k material interface state density time-dependent second harmonic generation
Online-Zugang:	Volltext
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