Effects of sapphire substrate orientation on Sn-doped α-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy using α-Cr2O3 buffers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of physics. D, Applied physics Applied physics, 2022-12, Vol.55 (49)
Hauptverfasser:	Polyakov, Alexander, Nikolaev, Vladimir, Stepanov, Sergey, Almaev, Alexei, Pechnikov, Alexei, Yakimov, Eugene, Kushnarev, Bogdan O, Shchemerov, Ivan, Scheglov, Mikhail, Chernykh, Alexey, Vasilev, Anton, Kochkova, Anastasia, Guzilova, Lyubov, Pearton, Stephen J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	doped gallium oxide orientation sapphire substrates
Online-Zugang:	Volltext
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