AlGaN/GaN heterostructures for UV photodetector applications

AlGaN/GaN heterostructures for UV photodetector applications

Metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) process parameters of Al/sub x/Ga/sub 1-x/N (0

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Boratynski, B., Paszkiewicz, R., Paszkiewicz, B., Jankowski, B., Tlaczala, M.
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
Schlagworte:
Aluminum gallium nitride
Detectors
Epitaxial growth
Epitaxial layers
Gallium nitride
Performance evaluation
Photoconducting materials
Photodetectors
Substrates
Temperature
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Beschreibung
Zusammenfassung:Metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) process parameters of Al/sub x/Ga/sub 1-x/N (0
DOI:10.1109/ASDAM.2000.889500