Logic Process Compatible 40-nm 16-Mb, Embedded Perpendicular-MRAM With Hybrid-Resistance Reference, Sub- \mu A Sensing Resolution, and 17.5-nS Read Access Time
A new MRAM reference and sensing circuit that can achieve
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | IEEE journal of solid-state circuits 2019-04, Vol.54 (4), p.1029-1038 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | A new MRAM reference and sensing circuit that can achieve |
---|---|
ISSN: | 0018-9200 1558-173X |
DOI: | 10.1109/JSSC.2018.2889106 |