Logic Process Compatible 40-nm 16-Mb, Embedded Perpendicular-MRAM With Hybrid-Resistance Reference, Sub- \mu A Sensing Resolution, and 17.5-nS Read Access Time

A new MRAM reference and sensing circuit that can achieve

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE journal of solid-state circuits 2019-04, Vol.54 (4), p.1029-1038
Hauptverfasser: Shih, Yi-Chun, Lee, Chia-Fu, Chang, Yen-An, Lee, Po-Hao, Lin, Hon-Jarn, Chen, Yu-Lin, Lin, Ku-Feng, Yeh, Ta-Ching, Yu, Hung-Chang, Chuang, Harry H. L., Chih, Yu-Der, Chang, Jonathan
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:A new MRAM reference and sensing circuit that can achieve
ISSN:0018-9200
1558-173X
DOI:10.1109/JSSC.2018.2889106