Light-emitting diode emitting at 650 nm with 200-MHz small-signal modulation bandwidth

State-of-the-art modulation bandwidths are presented for multiquantum well resonant cavity light emitting diodes (RCLED's) emitting at 650 nm. 84-μm size epoxy coated RCLED's have a 1.4-mW (CW) output power and a small signal modulation bandwidth of 200 MHz at 40 mA bias. 150-μm diameter d...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE photonics technology letters 2000-07, Vol.12 (7), p.786-788
Hauptverfasser:	Guina, M., Orsila, S., Dumitrescu, M., Saarinen, M., Sipila, P., Vilokkinen, V., Roycroft, B., Uusimaa, P., Toivonen, M., Pessa, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Bandwidth Bias Costs Data communication Devices Emittance Holes Light emitting diodes Modulation Optical coupling Optical fibers Optical modulation Resonance Semiconductor diodes State of the art Transfer functions
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