Characterization Of Metallurgical Channel Length And Gate Electrode's Physical Dimension For Device Analysis And Calibration Of Numerical Process And Device Simulators

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Shiuh-Wuu Lee
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Analytical models Calibration Capacitance CMOS technology Data mining Doping Impurities MOS capacitors MOSFETs Performance analysis
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/VPAD.1993.724745