Ferroelectric PZT Thin Films For Low-voltage Nonvolatile Memory

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Moazzami, R., Maniar, P.D., Jones, R.E., Campbell, A.C., Mogab, C.J.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Capacitors Ferroelectric films Ferroelectric materials Low voltage Nonvolatile memory Polarization Random access memory Titanium Transistors Zirconium
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/NVMT.1993.696948