In-Situ Formation of As-H-Functions by /spl beta/-Elimination of Specific Metalorganic Arsenic Compounds for the MOVPE of III/V-Semiconductors

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Zimmerman, G., Protzmann, H., Stolz, W., Gobel, E.O., Gimmnich, P., Greiling, A., Lorberth, J., Thalmann, C., Rademann, K.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Ash Detectors Epitaxial growth Epitaxial layers Gallium arsenide Inductors Mass spectroscopy Temperature distribution Thermal decomposition Toxic chemicals
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