GalnP Multiwafer Growth (7x 2", 5 x 3") by LP-MOVPE for HBT, Laser LED or Solar Cells

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Schmitz, D., Lengeling, G., Strauch, G., Hergeth, J., Jurgensen, H.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Costs Epitaxial growth Epitaxial layers Heterojunction bipolar transistors Inductors Lattices Light emitting diodes Photovoltaic cells Semiconductor lasers Throughput
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/MOVPE.1992.664983